Este tipo de memoria magnética está en desarrollo desde los años 90 pero, por los avances en memorias flash (y otros dispositivos), nunca vio la luz de manera masiva. Gracias a los últimas investigaciones de científicos japoneses, parece que el sueño de una “memoria universal” se acerca todavía más. Las ventajas serían muchas, ya que estas memorias son rápidas como las memorias RAM y no volátiles como las memorias flash.
El diferencial determina si el bit es 0 o 1
Los ahorros energéticos son particularmente importantes hoy en día, en que todo es portátil. Imagina poder apagar casi completamente tu móvil cuando no lo usas, pero que el mismo se encienda instantáneamente en cuanto lo necesites. Como cereza del postre, estas memorias tienen una velocidad miles de veces superior al de las memorias flash actuales.
Investigaciones anteriores de IBM
Los investigadores están trabajando ahora en aumentar todavía más el diferencial, que en este momento se encuentra entre un 30 y un 40%. Esto indicaría (nuevamente) que esta tecnología se convertiría en la “memoria universal” en breve (al menos si todo sale bien). Luego deberemos esperar que cosas como componentes de hardware y software se compatibilicen para aprovechar este avance, pero creemos esto sucederá rápido ya que las posibilidades son realmente interesantes.
En síntesis: Estas memorias, una vez masificadas, serían más baratas y rápidas que las mejores memorias flash actuales. No poseen límite de reescrituras, ya que no hay desgaste, y podrían alcanzar densidades mucho mayores a las memorias flash. Todo esto permitiría memorias sustancialmente más veloces, más baratas, de mayor capacidad y sin límite de reescrituras. Por esto fueron apodadas las “memorias universales” por sus impulsores.
Enlaces relacionados:
MRAM
New Scientist
(visto en Neoteo)
0 comentarios:
Publicar un comentario